研究人才詳細資料
| 年度 |
補助類別 |
學門代碼 |
計畫名稱 |
擔任工作 |
核定經費(新台幣) |
| 112 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
以微波退火活化非晶臨界劑量以下離子植入摻雜之機制探討 |
計畫主持人
|
653,000 |
| 111 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
離子植入缺陷與載子產生之機制探討 |
計畫主持人
|
628,000 |
| 110 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
低損傷離子植入硼摻雜於鍺基板之低溫活化 |
計畫主持人
|
571,000 |
| 109 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
離子植入n型摻雜於固相磊晶成長溫度以下活化之機制 |
計畫主持人
|
628,000 |
| 108 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
非晶化臨界值以下離子植入摻雜之低溫活化 |
計畫主持人
|
697,000 |
| 108 |
國內舉辦國際學術研討會
|
固態電子 |
2019國際電子元件與材料研討會暨科技部工程司微電子學門固態電子領域成果發表會 |
計畫主持人
|
350,000 |
| 108 |
專題研究計畫
(產學合作研究計畫-開發型)
|
固態電子 |
碳化矽溝槽式金氧半場效應電晶體技術開發(3/3) |
共同主持人
|
806,000 |
| 107 |
專題研究計畫
(產學合作研究計畫-開發型)
|
固態電子 |
碳化矽溝槽式金氧半場效應電晶體技術開發(2/3) |
共同主持人
|
1,845,000 |
| 107 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
磷原子團簇與點缺陷之反應模型 |
計畫主持人
|
594,000 |
| 106 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
非晶層反應對摻雜活化影響之分析與模型 |
計畫主持人
|
695,000 |
| 106 |
專題研究計畫
(產學合作研究計畫-開發型)
|
固態電子 |
碳化矽溝槽式金氧半場效應電晶體技術開發(1/3) |
共同主持人
|
2,527,000 |
| 105 |
專題研究計畫
(產學合作研究計畫-開發型)
|
固態電子 |
以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗(3/3) |
共同主持人
|
1,473,000 |
| 105 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
鍺基板摻雜之活化模型 |
計畫主持人
|
626,000 |
| 104 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
雷射退火活化摻雜之製程模擬(II) |
計畫主持人
|
511,000 |
| 104 |
專題研究計畫
(產學合作研究計畫-開發型)
|
固態電子 |
以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗(2/3) |
共同主持人
|
1,964,000 |
| 103 |
專題研究計畫
(產學合作研究計畫-開發型)
|
固態電子 |
以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗(1/3) |
共同主持人
|
2,695,000 |
| 103 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
雷射退火活化摻雜之製程模擬(I) |
計畫主持人
|
626,000 |
| 102 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
三維積體電路堆疊電晶體之製程與元件模擬(I) |
計畫主持人
|
741,000 |
| 101 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
三維積體電路(3D IC)之矽晶直通孔(TSV)與其它關鍵技術製程整合研究及應力量測熱傳導模型分析(3/3) |
共同主持人
|
2,240,000 |
| 100 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
三維積體電路(3D IC)之矽晶直通孔(TSV)與其它關鍵技術製程整合研究及應力量測熱傳導模型分析(2/3) |
共同主持人
|
2,240,000 |
| 100 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
奈米超淺接面之分析技術開發 |
計畫主持人
|
568,000 |
| 099 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
三維積體電路(3D IC)之矽晶直通孔(TSV)與其它關鍵技術製程整合研究及應力量測熱傳導模型分析(1/3) |
共同主持人
|
1,810,000 |
| 098 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
軟性電子跨領域專案計畫 |
應用於智慧型電子針灸之主動式軟性電晶體陣列背板之研究(3/3) |
共同主持人
|
5,505,000 |
| 098 |
延攬科技人才
(延攬博士後研究人才)
|
固態電子 |
應用於超淺接面之摻雜活化原子模型 |
計畫主持人
|
316,500 |
| 098 |
短期講學
|
微電子工程 |
張睿達 長庚大學電子工程學系 Mark-Steven-LundstromPurdue University |
計畫主持人
|
|
| 098 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
超淺接面共同離子佈植技術之製程模型 |
計畫主持人
|
1,252,000 |
| 096 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
固態電子 |
應用於超淺接面之摻雜活化原子模型 |
計畫主持人
|
1,436,000 |
| 095 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
顯示技術 |
利用連續波雷射結晶法製作低溫複晶矽薄膜電晶體之製程開發及其在面板系統整合上之應用--子計畫三：以連續波雷射結晶法製作低溫複晶矽薄膜電晶體之模擬與模型研發(3/3) |
計畫主持人
|
798,000 |
| 094 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
顯示技術 |
利用連續波雷射結晶法製作低溫複晶矽薄膜電晶體之製程開發及其在面板系統整合上之應用--子計畫三：以連續波雷射結晶法製作低溫複晶矽薄膜電晶體之模擬與模型研發(2/3) |
計畫主持人
|
724,000 |
| 093 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
顯示技術 |
利用連續波雷射結晶法製作低溫複晶矽薄膜電晶體之製程開發及其在面板系統整合上之應用--子計畫三：以連續波雷射結晶法製作低溫複晶矽薄膜電晶體之模擬與模型研發(1/3) |
計畫主持人
|
561,600 |
| 093 |
專題研究計畫
(一般研究計畫)
|
矽半導體材料與元件 |
雷射再結晶形成複晶矽之超橫向成長之分析與模擬 |
計畫主持人
|
549,800 |
| 093 |
研究生出席國際會議
|
微電子工程 |
國際電子元件會議 |
計畫主持人
|
|
| 092 |
專題研究計畫
(新進人員研究計畫)
|
矽半導體材料與元件 |
準分子雷射退火再結晶形成複晶矽之模擬與分析 |
計畫主持人
|
733,400 |
| 091 |
專題研究計畫
(新進人員研究計畫)
|
矽半導體材料與元件 |
低溫再結晶形成複晶矽之晶粒分布分析與模擬 |
計畫主持人
|
571,400 |
| 090 |
專題研究計畫
(新進人員研究計畫)
|
矽半導體材料與元件 |
SOI金屬閘極元件的製程開發 |
共同主持人
|
753,800 |
| 089 |
專題研究計畫
(新進人員研究計畫)
|
矽半導體材料與元件 |
功率電晶體之可靠性分析 |
共同主持人
|
515,100 |
| 089 |
專題研究計畫
(新進人員研究計畫)
|
矽半導體材料與元件 |
氮化及氟化在超薄閘極氧化層及複晶矽氧化層的製程開發 |
共同主持人
|
507,700 |
| 089 |
專題研究計畫
(一般型研究計畫)
|
矽半導體材料與元件 |
功率元件之高頻特性研究 |
共同主持人
|
1,004,800 |
| 088 |
專題研究計畫
(新進人員研究計畫)
|
矽半導體材料與元件 |
測次微米元件製程之暫態快速擴散的分析模擬 |
計畫主持人
|
323,300 |
|
主要學歷